Dépôt chimique en phase vapeur de couches minces d'alumine dans une post-décharge micro-onde :

Des couches minces d'alumine sont realisees sur des substrats de silicium par depot chimique en phase vapeur a partir de TriMethylAluminium (TMA), introduit dans la post-decharge d'un plasma micro-onde d'oxygene. Les films colonnaires et sur-stœchiometriques en oxygene presentent un taux d'hydrogene compris entre 4 et 25 %at. stabilisant l'alumine gamma a l'echelle nanometrique. Une interphase amorphe de 5 nm d'epaisseur est detectee a l'interface substrat/depot. L'etude parametrique montre qu'un abaissement de pression, une augmentation de polarisation RF et de temperature du porte-substrat ameliorent la qualite des films. Les correlations entre la composition en especes radiatives de la phase gazeuse et les proprietes des films sont complexes. Des outils statistiques ont ete utilises en vue de l'optimisation du procede. Le role des parametres les plus importants (pression, polarisation, temperature, distance injecteur/substrat) sur les proprietes des films est etudie par un plan d'experiences de surfaces de reponses. Enfin, la recherche de traceurs de qualite dans la phase gazeuse a ete conduite par analyses en composantes principales.