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Processing and first characterization of detectors made with high resistivity n- and p-type Czochralski silicon | Researchclopedia
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Processing and first characterization of detectors made with high resistivity n- and p-type Czochralski silicon
2005
29 citations
Journal Article
Field-Weighted Citation Impact:
10.82
G.‐F. Dalla Betta
M. DePalma
·
Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Sezione di Bari
S. Dittongo
·
Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Sezione di Trieste
E. Focardi
·
University of Florence
V. Khomenkov
·
Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Sezione di Padova
A. Litovchenko
·
Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Sezione di Padova
A. Macchiolo
·
University of Florence
N. Manna
·
Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Sezione di Bari
D. Menichelli
·
University of Florence
A. Messineo
·
Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Sezione di Pisa
S. Miglio
·
University of Florence
Marco Petasecca
·
Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Sezione di Perugia
C. Piemonte
G.U. Pignatel
·
Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Sezione di Perugia
V. Radicci
·
Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Sezione di Bari
S. Ronchin
M. Scaringella
·
University of Florence
G. Segneri
·
Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Sezione di Pisa
D. Sentenac
·
Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Sezione di Pisa
C. Tosi
·
University of Florence
N. Zorzi