GAAS KRISTALIDAGI NUQSONLAR

Ushbu tezisda Galliy arsenid (GaAs) dagi nuqsonlar, asosan, tugun nuqsonlar va dislokatsiyalarga e’tibor qaratilgan. Shuningdek faqat vakansiyalar va interval atomlarni o‘z ichiga olgan nuqsonlar modellariga anti-sayt nuqsonlarini ham kiritishning ahamiyati ta’kidlangan. Galliy arseniddagi dislokatsiyalar haqidagi hozirgi tushunchalar, oddiy yarimo‘tkazgichlardagiga nisbatan bir muncha muhimroqdir. Bu sohada ham nazariy, ham puxta olib borilgan eksperimental ishlar yetarli emas. Bu masalaning hal etilishi juda muhim, chunki dislokatsiyalar Galliy arsenid asboblarining ishdan chiqishiga bevosita sabab bo‘lishi mumkin.